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WXDH D4N65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | D4N65 |
| EBEE-Teilenummer | E817179518 |
| Gehäuse | TO-252B |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252B MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | WXDH D4N65 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Konfiguration | - | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 650V | |
| Dauerdr. | 4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| Stromableitung (Pd) | 75W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.5pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 610pF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 14.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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