| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NCE60P12K |
| EBEE-Teilenummer | E8326372 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 12A 100mΩ@10V,12A 60W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2637 | $ 1.3185 |
| 50+ | $0.2169 | $ 10.8450 |
| 150+ | $0.1969 | $ 29.5350 |
| 500+ | $0.1718 | $ 85.9000 |
| 2500+ | $0.1607 | $ 401.7500 |
| 5000+ | $0.1540 | $ 770.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P12K | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 100mΩ@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 60W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 77.3pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.6307nF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 37.6nC |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2637 | $ 1.3185 |
| 50+ | $0.2169 | $ 10.8450 |
| 150+ | $0.1969 | $ 29.5350 |
| 500+ | $0.1718 | $ 85.9000 |
| 2500+ | $0.1607 | $ 401.7500 |
| 5000+ | $0.1540 | $ 770.0000 |
