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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NCE30P12S |
| EBEE-Teilenummer | E8167515 |
| Gehäuse | SOIC-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,7A | |
| Stromableitung (Pd) | 3W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 180pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.75nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 24nC |
Einkaufsleitfaden
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