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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NCE0103M |
| EBEE-Teilenummer | E8161844 |
| Gehäuse | SOT-89-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 3A 170mΩ@4.5V,3A 1.5W 1V@250uA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| Stromableitung (Pd) | 1.5W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 20pF | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 650pF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 20nC@50V |
Einkaufsleitfaden
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