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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS8N60A8H
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS8N60A8H |
| EBEE-Teilenummer | E82833624 |
| Gehäuse | TO-220AB |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 600V 8A 0.8Ω@10V,4A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5884 | $ 0.5884 |
| 10+ | $0.4768 | $ 4.7680 |
| 50+ | $0.4210 | $ 21.0500 |
| 100+ | $0.3667 | $ 36.6700 |
| 500+ | $0.3335 | $ 166.7500 |
| 1000+ | $0.3169 | $ 316.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS8N60A8H | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.253nF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.4768 | $ 4.7680 |
| 50+ | $0.4210 | $ 21.0500 |
| 100+ | $0.3667 | $ 36.6700 |
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| 1000+ | $0.3169 | $ 316.9000 |
