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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
CS7N65FA9R
EBEE-Teilenummer
E8140750
Gehäuse
TO-220F
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
650V 7A 35W 1.2Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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50+$0.2646$ 13.2300
100+$0.2182$ 21.8200
500+$0.1981$ 99.0500
1000+$0.1857$ 185.7000
2000+$0.1826$ 365.2000
4000+$0.1811$ 724.4000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,MOSFET
DatenblattWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R
RoHS
TypN-Channel
RDS(on)1.4Ω@10V
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)5.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation35W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)93pF
Gate Charge(Qg)24nC@10V

Einkaufsleitfaden

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