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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS7N65FA9D |
| EBEE-Teilenummer | E8140752 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 7A 1.4Ω@10V,3.5A 40W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4677 | $ 0.4677 |
| 10+ | $0.3697 | $ 3.6970 |
| 50+ | $0.3259 | $ 16.2950 |
| 100+ | $0.2731 | $ 27.3100 |
| 500+ | $0.2505 | $ 125.2500 |
| 1000+ | $0.2354 | $ 235.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9D | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.072nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 28nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.3697 | $ 3.6970 |
| 50+ | $0.3259 | $ 16.2950 |
| 100+ | $0.2731 | $ 27.3100 |
| 500+ | $0.2505 | $ 125.2500 |
| 1000+ | $0.2354 | $ 235.4000 |
