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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65A3R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS7N65A3R |
| EBEE-Teilenummer | E8140739 |
| Gehäuse | TO-251(IPAK) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 7A 100W 1.4Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4147 | $ 0.4147 |
| 10+ | $0.3259 | $ 3.2590 |
| 30+ | $0.2892 | $ 8.6760 |
| 100+ | $0.2418 | $ 24.1800 |
| 500+ | $0.2204 | $ 110.2000 |
| 1000+ | $0.2066 | $ 206.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65A3R | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 93pF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.3259 | $ 3.2590 |
| 30+ | $0.2892 | $ 8.6760 |
| 100+ | $0.2418 | $ 24.1800 |
| 500+ | $0.2204 | $ 110.2000 |
| 1000+ | $0.2066 | $ 206.6000 |
