Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS630A4H
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS630A4H |
| EBEE-Teilenummer | E8140742 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 200V 9A 83W 280mΩ@10V,5.4A 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>770 Auf Lager für schnelle Lieferung
770 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3031 | $ 1.5155 |
| 50+ | $0.2391 | $ 11.9550 |
| 150+ | $0.2116 | $ 31.7400 |
| 500+ | $0.1774 | $ 88.7000 |
| 2500+ | $0.1622 | $ 405.5000 |
| 5000+ | $0.1530 | $ 765.0000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS630A4H | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 280mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
770 Stock for Shipping Fast
770 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3031 | $ 1.5155 |
| 50+ | $0.2391 | $ 11.9550 |
| 150+ | $0.2116 | $ 31.7400 |
| 500+ | $0.1774 | $ 88.7000 |
| 2500+ | $0.1622 | $ 405.5000 |
| 5000+ | $0.1530 | $ 765.0000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
