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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS55N06A4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS55N06A4 |
| EBEE-Teilenummer | E8442410 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 55A 69.5W 10mΩ@10V,20A 1.9V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3329 | $ 1.6645 |
| 50+ | $0.2637 | $ 13.1850 |
| 150+ | $0.2341 | $ 35.1150 |
| 500+ | $0.1971 | $ 98.5500 |
| 2500+ | $0.1806 | $ 451.5000 |
| 5000+ | $0.1707 | $ 853.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS55N06A4 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 10mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 123pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 69.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 164pF | |
| Gate Charge(Qg) | 50.7nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3329 | $ 1.6645 |
| 50+ | $0.2637 | $ 13.1850 |
| 150+ | $0.2341 | $ 35.1150 |
| 500+ | $0.1971 | $ 98.5500 |
| 2500+ | $0.1806 | $ 451.5000 |
| 5000+ | $0.1707 | $ 853.5000 |
