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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N70FA9R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS4N70FA9R |
| EBEE-Teilenummer | E82833625 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 700V 4A 2.55Ω@10V,2A 30W 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N70FA9R | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.7nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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