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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS4N60A3R |
| EBEE-Teilenummer | E8140732 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 600V 4A 2.5Ω@10V,2A 75W 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.1971 | $ 1.9710 |
| 30+ | $0.1749 | $ 5.2470 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N60A3R | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 2.5Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 14.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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