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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A4H


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
CS1N60A4H
EBEE-Teilenummer
E8162383
Gehäuse
TO-252
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
600V 800mA 25W 15Ω@10V,400mA 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
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MengeStückpreisGesamtpreis
5+$0.1615$ 0.8075
50+$0.1280$ 6.4000
150+$0.1136$ 17.0400
500+$0.0956$ 47.8000
2500+$0.0876$ 219.0000
5000+$0.0828$ 414.0000
10000+$0.0818$ 818.0000
20000+$0.0812$ 1624.0000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,MOSFET
DatenblattWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS1N60A4H
RoHS
TypN-Channel
RDS(on)15Ω@10V
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)2.6pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation25W
Drain to Source Voltage600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)800mA
Ciss-Input Capacitance10.7pF
Output Capacitance(Coss)10.7pF
Gate Charge(Qg)4nC@10V

Einkaufsleitfaden

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