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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N70FA9R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CS10N70FA9R |
| EBEE-Teilenummer | E8162369 |
| Gehäuse | TO-220F |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 700V 10A 1.05Ω@10V,5A 40W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N70FA9R | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.05Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.563nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
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