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WILLSEMI(Will Semicon) WPM3028B-8/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WPM3028B-8/TR |
| EBEE-Teilenummer | E82879855 |
| Gehäuse | PDFN3333-8L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 30V 36A 36W 8.4mΩ@10V,12A 1V@250uA PDFN-8L(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2566 | $ 1.2830 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1811 | $ 27.1650 |
| 500+ | $0.1529 | $ 76.4500 |
| 2500+ | $0.1403 | $ 350.7500 |
| 5000+ | $0.1327 | $ 663.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | WILLSEMI(Will Semicon) WPM3028B-8/TR | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 22mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 271pF | |
| Pd - Power Dissipation | 36W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.995nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 355pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2566 | $ 1.2830 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1811 | $ 27.1650 |
| 500+ | $0.1529 | $ 76.4500 |
| 2500+ | $0.1403 | $ 350.7500 |
| 5000+ | $0.1327 | $ 663.5000 |
