Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WNM6012-3/TR |
| EBEE-Teilenummer | E82941870 |
| Gehäuse | DFN1006-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>4800 Auf Lager für schnelle Lieferung
4800 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
| 10000+ | $0.0335 | $ 335.0000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 24Ω@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.008W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.4pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.4nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
4800 Stock for Shipping Fast
4800 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
| 10000+ | $0.0335 | $ 335.0000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
