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WILLSEMI(Will Semicon) WNM6002-3/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WNM6002-3/TR |
| EBEE-Teilenummer | E8501342 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 300mA 2Ω@10V,370mA 370mW 2V@250uA 1 N-Channel SOT-323-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6002-3/TR | |
| RoHS | ||
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 1.7Ω@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.37pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.2nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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