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WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046-3/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WNM2046-3/TR |
| EBEE-Teilenummer | E8239671 |
| Gehäuse | DFN1006-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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| 100+ | $0.0292 | $ 2.9200 |
| 300+ | $0.0254 | $ 7.6200 |
| 1000+ | $0.0225 | $ 22.5000 |
| 5000+ | $0.0202 | $ 101.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | WILLSEMI(Will Semicon) WNM2046-3/TR | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 600mΩ@1.8V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 8.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 320mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 710mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50.6pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 13.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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