| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WMO15N10T1 |
| EBEE-Teilenummer | E83030962 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 14.6A 90mΩ@10V,14.6A 41.7W 1.2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wayon WMO15N10T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 14.6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 90mΩ@10V,14.6A | |
| Stromableitung (Pd) | 41.7W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 42pF@15V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.22nF@15V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 20.6nC |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
