| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WMB115N15HG4 |
| EBEE-Teilenummer | E837723593 |
| Gehäuse | PDFN5060-8L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 150V 75A 125W 11.5mΩ@10V,20A 3V@250uA 1 N-channel PDFN5060-8L MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9897 | $ 0.9897 |
| 10+ | $0.8295 | $ 8.2950 |
| 30+ | $0.7405 | $ 22.2150 |
| 100+ | $0.6408 | $ 64.0800 |
| 500+ | $0.5964 | $ 298.2000 |
| 1000+ | $0.5767 | $ 576.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wayon WMB115N15HG4 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 150V | |
| Dauerdr. | 75A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 125W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9.4pF@75V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 3310pF@75V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9897 | $ 0.9897 |
| 10+ | $0.8295 | $ 8.2950 |
| 30+ | $0.7405 | $ 22.2150 |
| 100+ | $0.6408 | $ 64.0800 |
| 500+ | $0.5964 | $ 298.2000 |
| 1000+ | $0.5767 | $ 576.7000 |
