| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | WM02DN48M3 |
| EBEE-Teilenummer | E83030933 |
| Gehäuse | SOT-23-6L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 4.8A 1W 40mΩ@2.5V,4A 1.2V@250uA SOT-23-6L MOSFETs ROHS |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0773 | $ 0.7730 |
| 100+ | $0.0630 | $ 6.3000 |
| 300+ | $0.0559 | $ 16.7700 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
| 6000+ | $0.0440 | $ 264.0000 |
| 9000+ | $0.0420 | $ 378.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Wayon WM02DN48M3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 20V | |
| Dauerdr. | 4.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 40mΩ@2.5V,4A | |
| Stromableitung (Pd) | 1W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.2V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 65pF@10V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 515pF@10V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 60nC |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0773 | $ 0.7730 |
| 100+ | $0.0630 | $ 6.3000 |
| 300+ | $0.0559 | $ 16.7700 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
| 6000+ | $0.0440 | $ 264.0000 |
| 9000+ | $0.0420 | $ 378.0000 |
