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Vishay Intertech SIRA60DP-T1-GE3


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIRA60DP-T1-GE3
EBEE-Teilenummer
E8467954
Gehäuse
PowerPAK-SO-8
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
30V 56A 5W 0.00094Ω@10V,100A 1.1V@250uA 1 N-Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
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10+$0.7621$ 7.6210
30+$0.6843$ 20.5290
100+$0.6065$ 60.6500
500+$0.5065$ 253.2500
1000+$0.4811$ 481.1000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,MOSFET
DatenblattVishay Intertech SIRA60DP-T1-GE3
RoHS
TypN-Channel
RDS(on)0.94mΩ@10V
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)191pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation5W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.1V
Current - Continuous Drain(Id)56A
Ciss-Input Capacitance7.65nF
Output Capacitance(Coss)2.32nF
Gate Charge(Qg)38nC@10V

Einkaufsleitfaden

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