Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Vishay Intertech SI4850EY-T1-E3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI4850EY-T1-E3 |
| EBEE-Teilenummer | E83289752 |
| Gehäuse | SO-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 8.5A 0.022Ω@10V,6.0A 3.3W 3V@250uA 1 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>3626 Auf Lager für schnelle Lieferung
3626 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0797 | $ 1.0797 |
| 10+ | $0.9955 | $ 9.9550 |
| 30+ | $0.9479 | $ 28.4370 |
| 100+ | $0.8955 | $ 89.5500 |
| 500+ | $0.8717 | $ 435.8500 |
| 1000+ | $0.8622 | $ 862.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech SI4850EY-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 31mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 18pF | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
3626 Stock for Shipping Fast
3626 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0797 | $ 1.0797 |
| 10+ | $0.9955 | $ 9.9550 |
| 30+ | $0.9479 | $ 28.4370 |
| 100+ | $0.8955 | $ 89.5500 |
| 500+ | $0.8717 | $ 435.8500 |
| 1000+ | $0.8622 | $ 862.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
