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Vishay Intertech SI2347DS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2347DS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E8145002 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 3.8A 1.2W 0.042Ω@10V,3.8A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.2314 | $ 1.1570 |
| 50+ | $0.1878 | $ 9.3900 |
| 150+ | $0.1691 | $ 25.3650 |
| 500+ | $0.1458 | $ 72.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech SI2347DS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 68mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 73pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 705pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 93pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1878 | $ 9.3900 |
| 150+ | $0.1691 | $ 25.3650 |
| 500+ | $0.1458 | $ 72.9000 |
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