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Vishay Intertech SI2343CDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2343CDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E86903 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 4A 800mW 0.053Ω@10V,4.0A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1912 | $ 0.9560 |
| 50+ | $0.1557 | $ 7.7850 |
| 150+ | $0.1404 | $ 21.0600 |
| 500+ | $0.1090 | $ 54.5000 |
| 3000+ | $0.1006 | $ 301.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech SI2343CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 53mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 105pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 800mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 540pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 131pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.1557 | $ 7.7850 |
| 150+ | $0.1404 | $ 21.0600 |
| 500+ | $0.1090 | $ 54.5000 |
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