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Vishay Intertech SI2319CDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2319CDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E8146287 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 3.1A 1.6W 0.077Ω@10V,3.7A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4034 | $ 2.0170 |
| 50+ | $0.3265 | $ 16.3250 |
| 150+ | $0.2935 | $ 44.0250 |
| 500+ | $0.2296 | $ 114.8000 |
| 3000+ | $0.2112 | $ 633.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech SI2319CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 108mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 61pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 595pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 76pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.3265 | $ 16.3250 |
| 150+ | $0.2935 | $ 44.0250 |
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