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Vishay Intertech Si2318CDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | Si2318CDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E814498 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 40V 5.6A 1.3W 0.042Ω@10V,5.6A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1241 | $ 6.2050 |
| 150+ | $0.1107 | $ 16.6050 |
| 500+ | $0.1007 | $ 50.3500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech Si2318CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 51mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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