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Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | Si2308BDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E812298 |
| Gehäuse | SOT-23-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 2.3A 0.156Ω@10V,2.3A 1.09W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 192mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 6.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
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| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
