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Vishay Intertech SI2304DDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2304DDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E856372 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 3.6A 0.06Ω@10V,3.2A 1.1W 2.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0680 | $ 3.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech SI2304DDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 60mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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