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Vishay Intertech SI2303CDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2303CDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E810489 |
| Gehäuse | SOT-23(TO-236) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 2.7A 190mΩ@10V,1.9A 1.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0735 | $ 0.7350 |
| 100+ | $0.0593 | $ 5.9300 |
| 300+ | $0.0522 | $ 15.6600 |
| 3000+ | $0.0449 | $ 134.7000 |
| 6000+ | $0.0406 | $ 243.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech SI2303CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 330mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 155pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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