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Vishay Intertech Si2302CDS-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | Si2302CDS-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E810488 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 2.9A 0.057Ω@4.5V,3.6A 550mW 850mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0757 | $ 0.7570 |
| 100+ | $0.0628 | $ 6.2800 |
| 300+ | $0.0561 | $ 16.8300 |
| 3000+ | $0.0454 | $ 136.2000 |
| 6000+ | $0.0435 | $ 261.0000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech Si2302CDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 75mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 550mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 850mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 3.5nC@10V,4.5V |
Einkaufsleitfaden
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| 100+ | $0.0628 | $ 6.2800 |
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