Hot
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Vishay Intertech 2N7002K-T1-GE3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 2N7002K-T1-GE3 |
| EBEE-Teilenummer | E881445 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 300mA 2Ω@10V,500mA 350mW 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>625500 Auf Lager für schnelle Lieferung
625500 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0459 | $ 0.4590 |
| 100+ | $0.0382 | $ 3.8200 |
| 300+ | $0.0342 | $ 10.2600 |
| 3000+ | $0.0250 | $ 75.0000 |
| 6000+ | $0.0239 | $ 143.4000 |
| 9000+ | $0.0231 | $ 207.9000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Vishay Intertech 2N7002K-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 2Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 600pC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
625500 Stock for Shipping Fast
625500 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0459 | $ 0.4590 |
| 100+ | $0.0382 | $ 3.8200 |
| 300+ | $0.0342 | $ 10.2600 |
| 3000+ | $0.0250 | $ 75.0000 |
| 6000+ | $0.0239 | $ 143.4000 |
| 9000+ | $0.0231 | $ 207.9000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
