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UTC(Unisonic Tech) UT3N10G-AE3-R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | UT3N10G-AE3-R |
| EBEE-Teilenummer | E8258267 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 3A 0.165Ω@10V,3A 350mW 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | UTC(Unisonic Tech) UT3N10G-AE3-R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 165mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 36pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 720pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 45pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC |
Einkaufsleitfaden
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