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UTC(Unisonic Tech) 1N65G-AA3-R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N65G-AA3-R |
| EBEE-Teilenummer | E8258269 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 1.2A 12.5Ω@10V,600mA 8W 4V@250uA 1 N-Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | UTC(Unisonic Tech) 1N65G-AA3-R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 12.5Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 150pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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