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UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) SI2301A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI2301A |
| EBEE-Teilenummer | E8347482 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 2.8A 400mW 110mΩ@2.5V,2.0A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0177 | $ 0.8850 |
| 500+ | $0.0136 | $ 6.8000 |
| 3000+ | $0.0111 | $ 33.3000 |
| 6000+ | $0.0097 | $ 58.2000 |
| 24000+ | $0.0085 | $ 204.0000 |
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Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) SI2301A | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 90mΩ@4.5V;110mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 405pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];[email protected] |
Einkaufsleitfaden
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