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UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) AO3415A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AO3415A |
| EBEE-Teilenummer | E8347479 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 20V 4A 36mΩ@4.5V 350mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 200+ | $0.0301 | $ 6.0200 |
| 600+ | $0.0252 | $ 15.1200 |
| 3000+ | $0.0206 | $ 61.8000 |
| 9000+ | $0.0181 | $ 162.9000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) AO3415A | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 36mΩ@4.5V;60mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 160pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 560mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.45nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 205pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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