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UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N65G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | 1N65G |
| EBEE-Teilenummer | E8404319 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 1A 140W 8.5Ω@10V,0.5A 4V@250uA 1 N-Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.0683 | $ 3.4150 |
| 150+ | $0.0591 | $ 8.8650 |
| 500+ | $0.0521 | $ 26.0500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 1N65G | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 11Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 150pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.8nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.0521 | $ 26.0500 |
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