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U-NIKC P1006BD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P1006BD |
| EBEE-Teilenummer | E83034551 |
| Gehäuse | TO-252-2 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 66A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| Stromableitung (Pd) | 96W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.3V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 140pF@25V | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 1.92nF@25V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
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