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TOSHIBA SSM6J214FE(TE85L,F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SSM6J214FE(TE85L,F |
| EBEE-Teilenummer | E8516172 |
| Gehäuse | SOT-563(SOT-666) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 3.6A 50mΩ@3A,10V 500mW 1.2V@1mA 1 Piece P-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 50+ | $0.2040 | $ 10.2000 |
| 150+ | $0.1830 | $ 27.4500 |
| 500+ | $0.1568 | $ 78.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | TOSHIBA SSM6J214FE(TE85L,F | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ@10V | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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