Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
Tokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS)
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) |
| EBEE-Teilenummer | E819626229 |
| Gehäuse | DFN-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 40V 25A 13mΩ 34.7W 2 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>440 Auf Lager für schnelle Lieferung
440 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3268 | $ 1.6340 |
| 50+ | $0.2544 | $ 12.7200 |
| 150+ | $0.2233 | $ 33.4950 |
| 490+ | $0.1885 | $ 92.3650 |
| 2450+ | $0.1713 | $ 419.6850 |
| 4900+ | $0.1609 | $ 788.4100 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Tokmas SI7288DP-T1-GE3(TOKMAS) | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 20mΩ@4.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 175pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 34.7W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.15nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 220pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
440 Stock for Shipping Fast
440 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3268 | $ 1.6340 |
| 50+ | $0.2544 | $ 12.7200 |
| 150+ | $0.2233 | $ 33.4950 |
| 490+ | $0.1885 | $ 92.3650 |
| 2450+ | $0.1713 | $ 419.6850 |
| 4900+ | $0.1609 | $ 788.4100 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
