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Texas Instruments CSD19538Q3A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD19538Q3A |
| EBEE-Teilenummer | E8478471 |
| Gehäuse | VSONP-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 15A 49mΩ@10V,5A 2.8W 3.2V@250uA 1 N-channel VSONP-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.3514 | $ 1.7570 |
| 50+ | $0.2736 | $ 13.6800 |
| 150+ | $0.2403 | $ 36.0450 |
| 500+ | $0.1987 | $ 99.3500 |
| 2500+ | $0.1802 | $ 450.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Texas Instruments CSD19538Q3A | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 49mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 16.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.8W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 454pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 69pF | |
| Gate Charge(Qg) | 4.3nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.2736 | $ 13.6800 |
| 150+ | $0.2403 | $ 36.0450 |
| 500+ | $0.1987 | $ 99.3500 |
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