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Texas Instruments CSD19534Q5A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD19534Q5A |
| EBEE-Teilenummer | E8114200 |
| Gehäuse | SON-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 50A 12.6mΩ@10V,10A 63W 2.8V@250uA 1 N-channel PDFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Texas Instruments CSD19534Q5A | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 17.6mΩ@6V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 63W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 330pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
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