| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD19532Q5B |
| EBEE-Teilenummer | E8473333 |
| Gehäuse | SON-8(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100V 17A 4.6mΩ@6V,17A 195W 2.6V@250uA SON-8(5x6) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7500 | $ 1.7500 |
| 10+ | $1.5258 | $ 15.2580 |
| 30+ | $1.4026 | $ 42.0780 |
| 100+ | $1.2115 | $ 121.1500 |
| 500+ | $1.1483 | $ 574.1500 |
| 1000+ | $1.1214 | $ 1121.4000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Texas Instruments CSD19532Q5B | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 4.6mΩ@6V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 195W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.81nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 706pF | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7500 | $ 1.7500 |
| 10+ | $1.5258 | $ 15.2580 |
| 30+ | $1.4026 | $ 42.0780 |
| 100+ | $1.2115 | $ 121.1500 |
| 500+ | $1.1483 | $ 574.1500 |
| 1000+ | $1.1214 | $ 1121.4000 |
