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Texas Instruments CSD17311Q5
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CSD17311Q5 |
| EBEE-Teilenummer | E8139640 |
| Gehäuse | VSON-8-EP(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 30V 32A 3.2W 2mΩ@8V,30A 1.6V@250uA 1 N-channel VSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | Texas Instruments CSD17311Q5 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 3.1mΩ@3V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 110pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.2W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.28nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.26nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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