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TECH PUBLIC TPNTA4153NT1G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TPNTA4153NT1G |
| EBEE-Teilenummer | E82875154 |
| Gehäuse | SOT-523 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 800mA 300mΩ@2.5V,450mA 280mW 1.1V@250uA 1 N-Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0409 | $ 0.4090 |
| 100+ | $0.0325 | $ 3.2500 |
| 300+ | $0.0283 | $ 8.4900 |
| 3000+ | $0.0240 | $ 72.0000 |
| 6000+ | $0.0215 | $ 129.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC TPNTA4153NT1G | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 300mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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