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TECH PUBLIC TPM2008EP3-A
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | TPM2008EP3-A |
| EBEE-Teilenummer | E82827633 |
| Gehäuse | DFN1006-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 700mA 130mΩ@4.5V,650mA 100mW 750mV@250uA 1 N-Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
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| 200+ | $0.0276 | $ 5.5200 |
| 600+ | $0.0238 | $ 14.2800 |
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| 10000+ | $0.0174 | $ 174.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC TPM2008EP3-A | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 370mΩ@25V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 700mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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