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TECH PUBLIC NTD5865NLT4G
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTD5865NLT4G |
| EBEE-Teilenummer | E85350898 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 60V 50A 85W 20mΩ@10V,20A 2.5V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.3557 | $ 3.5570 |
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| 100+ | $0.2636 | $ 26.3600 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC NTD5865NLT4G | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 20mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.05nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@30V |
Einkaufsleitfaden
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