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TECH PUBLIC DMG1013T
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DMG1013T |
| EBEE-Teilenummer | E82830306 |
| Gehäuse | SOT-523 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 550mA 920mΩ@2.5V,450mA 280mW 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0301 | $ 0.3010 |
| 100+ | $0.0262 | $ 2.6200 |
| 300+ | $0.0243 | $ 7.2900 |
| 3000+ | $0.0228 | $ 68.4000 |
| 6000+ | $0.0216 | $ 129.6000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC DMG1013T | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 920mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 750mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 550mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 60pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 6pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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