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TECH PUBLIC DMG1012T
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | DMG1012T |
| EBEE-Teilenummer | E82830301 |
| Gehäuse | SOT-523 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 800mA 250mΩ@4.5V 280mW 750mV@250uA 1 N-Channel SOT-523-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0206 | $ 0.4120 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | TECH PUBLIC DMG1012T | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 300mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 120pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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