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STMicroelectronics STW33N60M2
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | STW33N60M2 |
| EBEE-Teilenummer | E8146206 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 600V 26A 35W 0.108Ω@10V,13A 2V@250uA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $1.0652 | $ 10.6520 |
| 30+ | $0.9525 | $ 28.5750 |
| 100+ | $0.8358 | $ 83.5800 |
| 500+ | $0.7840 | $ 392.0000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | STMicroelectronics STW33N60M2 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 125mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.781nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 45.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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